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電子元器件整合供應(yīng)商
揚(yáng)杰 分類
YJ 防靜電管(ESD)

揚(yáng)杰(YJ) 防靜電管(ESD)

名 稱:揚(yáng)杰(YJ) 防靜電管(ESD)
品 牌:揚(yáng)杰(YJ)
簡(jiǎn) 述:

揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司貼片防靜電管

防靜電管(ESD),又稱瞬態(tài)電壓抑制二極管陣列(TVS Array),是由多個(gè)TVS晶粒或二極管采用不同的布局設(shè)計(jì)成具有特定功能的多路或單路ESD保護(hù)器件,主要應(yīng)用于各類通信接口靜電保護(hù),比如USB、HDMI、RS485、RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、SIM、SD等接口中。專業(yè)保護(hù)器件供應(yīng)商?hào)|沃電子ESD靜電保護(hù)器件,封裝形式多樣,從單路的SOD-323到多路的SOT-23、SOT-143、SOT23-6L、SOIC-8、QFN-10等。電路設(shè)計(jì)工程師可以根據(jù)電路板布局及接口類型選擇不同封裝形式的ESD靜電保護(hù)二極管。

防靜電管(ESD)特點(diǎn)

? 低電容,最低可達(dá)到零點(diǎn)幾皮法;
? 快速響應(yīng)時(shí)間:通常小于1.0PS;
? 體積小,小型化器件,節(jié)約PCB空間;
? 工作電壓可以根據(jù)IC的工作電壓設(shè)計(jì),比如:2.8V、3.3V、5V、12V、15V等等;
? 靈活度高,可以根據(jù)應(yīng)用需求設(shè)計(jì)電容、封裝形式、浪涌承受能力等參數(shù);

防靜電管(ESD)參數(shù)詳解

? VRWM:反向截止電壓、通俗地講,就是ESD允許施加的最大工作電壓,在該電壓下ESD處于截止?fàn)顟B(tài),此時(shí)ESD的漏電流很小,為幾微安甚至更低。
? VBR:擊穿電壓,擊穿電壓是ESD要開始動(dòng)作(雪崩擊穿)的電壓,一般在規(guī)定的電流下測(cè)量,通常在大小為1mA的 電流下測(cè)量。
? IR:反向漏電流,即在ESD器件兩端施加VRWM電壓下測(cè)得ESD的漏電流。 ? IPP:峰值脈沖電流,一般采用8/20μs的波形測(cè)量。
? VC: 鉗位電壓,在給定大小的IPP下測(cè)得ESD兩端的電壓。大部分ESD產(chǎn)品VC與VBR及IPP成正比關(guān)系。
? CJ:結(jié)電容,ESD的結(jié)電容與ESD的芯片面積、工作電壓有關(guān)系。對(duì)于相同電壓ESD產(chǎn)品,芯片面積越大結(jié)電容越大;對(duì)于相同芯片面積的ESD,工作電壓越高結(jié)電容就越低。

防靜電管(ESD)選型指南

1)ESD靜電二極管的截止電壓要大于電路中最高工作電壓;
2)脈沖峰值電流IPP 和最大箝位電壓VC 的選擇,要根據(jù)線路上可能出現(xiàn)的最大浪涌電流來選擇合適IPP的型號(hào),需要注意的是,此時(shí)的VC 應(yīng)小于被保護(hù)晶片所能耐受的最大峰值電壓;
3)用于信號(hào)傳輸電路保護(hù)時(shí),一定要注意所傳輸信號(hào)的頻率或傳輸速率,當(dāng)信號(hào)頻率或傳輸速率較高時(shí),應(yīng)選用低電容系列的ESD靜電二極管;
4)根據(jù)電路設(shè)計(jì)布局及被保護(hù)線路數(shù)選擇合適的封裝。ESD封裝的大小從一定程度上可以反應(yīng)器件的防護(hù)等級(jí)大小,一般封裝越大的器件可容納的ESD芯片面積也越大,防護(hù)等級(jí)也越高,反之亦然。